|
Наука / Об'єкти права інтелектуальної власності / Патенти / 2017 / Спосіб виготовлення структур імпульсного діода |
Спосіб виготовлення структур імпульсного діода
| Назва об’єкту |
Спосіб виготовлення структур імпульсного діода |
| Суть інновації |
Перед термічним окисленням проводять відпал кремнієвої пластини |
| Кінцевий продукт |
Імпульсний діод |
| Правовий статус інтелектуального продукту |
Патент на корисну модель |
| Дата реєстрації інтелектуальної власності |
28.08.2017 |
| Стратегія впровадження проекту |
Виготовлений дослідний зразок тканини |
| Пріоритетна форма роботи з інвестором |
Продаж ліцензії. Фінансування додаткових досліджень в умовах реального виробництва |
| Очікуваний обсяг інвестиції |
300 тис. грн. |
| Контактні реквізити |
73008, Україна, м. Херсон, Бериславське шосе, 24 Тел. 0(99) 730 03 90 E-mail: korneva.kntu@gmail.com |
